• F450R07W1H3B11ABOMA1 650V ολοκληρωμένο κύκλωμα IC Chip Igbt Modules
F450R07W1H3B11ABOMA1 650V ολοκληρωμένο κύκλωμα IC Chip Igbt Modules

F450R07W1H3B11ABOMA1 650V ολοκληρωμένο κύκλωμα IC Chip Igbt Modules

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: αρχικός
Μάρκα: original
Πιστοποίηση: original
Αριθμό μοντέλου: F450R07W1H3B11ABOMA1

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες: Κιβώτιο χαρτοκιβωτίων
Χρόνος παράδοσης: 1-3working ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T, L/C
Δυνατότητα προσφοράς: 100.000
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Mfr: Τεχνολογίες Infineon Σειρά: EasyPACK™
Συσκευασία: Δίσκος Θέση προϊόντων: Ενεργός
Τύπος IGBT: Στάση Πεδίου Τάφρου Διαμόρφωση: Πλήρης αναστροφέας γεφυρών
Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max): 650V Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max): 55 Α
Υψηλό φως:

F450R07W1H3B11ABOMA1

,

IC Chip Igbt Modules

,

650V Integrated Circuit IC Chip

Περιγραφή προϊόντων

F450R07W1H3B11ABOMA1 Ενσωματωμένο κύκλωμα IC Chip Igbt

 

Μονάδα IGBT Trench Field Stop Full Bridge Inverter 650 V 55 A 200 W Chassis Mount Module

 

Προδιαγραφές του F450R07W1H3B11ABOMA1

 

ΤΥΠΟΣ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατηγορία Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών
Τρανζίστορ
IGBTs
Ενότητες IGBT
Mfr Infineon Technologies
Σειρά EasyPACK™
Πακέτο Δίσκος - σχάρα
Κατάσταση προϊόντος Ενεργός
Τύπος IGBT Στάση Πεδίου Τάφρου
Διαμόρφωση Full Bridge Inverter
Τάση - Βλάβη εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.) 650 V
Τρέχον - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.) 55 Α
Ισχύς - Μέγ 200 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1,85V @ 15V, 25A
Τρέχον - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.) 50 μΑ
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce 3,25 nF @ 25 V
Εισαγωγή Πρότυπο
NTC Thermistor Ναί
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης Στήριγμα πλαισίου
Πακέτο / Θήκη Μονάδα μέτρησης
Πακέτο συσκευής προμηθευτή Μονάδα μέτρησης
Βασικός αριθμός προϊόντος F450R07

 

Χαρακτηριστικά τουF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Αυξημένη ικανότητα μπλοκαρίσματος στα 650V
• High Speed ​​IGBT H3
• Χαμηλή επαγωγική σχεδίαση
• Χαμηλές απώλειες μεταγωγής
• Χαμηλό VCEsat
• Μόνωση 2,5 kV AC 1min
• Υψηλές αποστάσεις ερπυσμού και εκκένωσης
• Τεχνολογία Επικοινωνίας PressFIT
• Συμβατό με RoHS
• Ανθεκτική τοποθέτηση λόγω της ενσωματωμένης τοποθέτησης
σφιγκτήρες

 

Εφαρμογές τουF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Εφαρμογές Αυτοκινήτου
• Εφαρμογή μεταγωγής υψηλών συχνοτήτων
• Μετατροπέας DC/DC
• Βοηθητικούς μετατροπείς
• Υβριδικά Ηλεκτρικά Οχήματα (Η)ΕΥ
• Επαγωγική θέρμανση και συγκόλληση
 

Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις τουF450R07W1H3B11ABOMA1

 
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατάσταση RoHS Συμβατό με ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) 1 (Απεριόριστο)
Κατάσταση REACH REACH Δεν επηρεάζεται
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
 

F450R07W1H3B11ABOMA1 650V ολοκληρωμένο κύκλωμα IC Chip Igbt Modules 0



 

 

 

 

 

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd F450R07W1H3B11ABOMA1 650V ολοκληρωμένο κύκλωμα IC Chip Igbt Modules θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.