• BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση PG-TDSON-8-5
BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση PG-TDSON-8-5

BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση PG-TDSON-8-5

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: Αρχική
Μάρκα: original
Πιστοποίηση: original
Αριθμό μοντέλου: ΒSC900N20NS3G

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες: Καρτόνι
Χρόνος παράδοσης: 1-3 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής: Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς: 100,000
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Τεχνική μέθοδος: 200 V Τρέχοντας - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: 15.2A (TC)
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019: 10V Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs: 110,6 nC @ 10 V
Vgs (μέγιστο): ±20V Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Υψηλό φως:

ΒSC900N20NS3G

,

Επικεφαλίδα MOSFET N-Channel BSC900N20NS3G

Περιγραφή προϊόντων

BSC900N20NS3G N-Κανάλι 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια PG-TDSON-8-5

 

ΠροδιαγραφέςΒSC900N20NS3G

 

Τύπος Περιγραφή
Κατηγορία Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
  Τρανζίστορες
  FETs, MOSFETs
  Μοναδικά FET, MOSFET
Δρ. Ινφίνιον Τεχνολογίες
Σειρά OptiMOSTM
Πακέτο Ταινία και τροχό (TR)
  Τραπέζια κόψιμο (CT)
Τύπος FET N-Κανάλι
Τεχνολογία MOSFET (οξείδιο μετάλλου)
Τεχνική μέθοδος 200 V
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C 15.2Α (Tc)
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019 10V
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 7,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 30μA
Τεχνική διάταξη 110,6 nC @ 10 V
Vgs (μέγιστο) ±20V
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 100 V
Χαρακτηριστικό FET -
Δυναμική διάσπαση (μέγιστη) 62.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή PG-TDSON-8-5
Πακέτο / Κουτί 8-PowerTDFN
Αριθμός βασικού προϊόντος BSC900

 
Χαρακτηριστικά ΒSC900N20NS3G


• Βελτιστοποιημένο για μετατροπή dc-dc
• N-κανάλι, κανονικό επίπεδο
• Εξαιρετική χρέωση πύλης x R DS ((on) προϊόν (FOM)
• Μικρή αντίσταση R DS (ενεργή)
• θερμοκρασία λειτουργίας 150 °C
• Χωρίς Pb επιχρίωση από μόλυβδο, συμβατή με το RoHS
• Πιστοποιημένη σύμφωνα με την JEDEC1) για την εφαρμογή στόχου
• Χωρίς αλογόνες σύμφωνα με την IEC61249-2-21

 

 

Περιβαλλοντικές και εξαγωγικές ταξινόμησηΒSC900N20NS3G

 

ΑΤΡΙΒΟΥΤ Περιγραφή
Κατάσταση RoHS Συμμόρφωση με την οδηγία ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) 1 (απεριόριστο)
Το καθεστώς REACH REACH Μη επηρεασμένη
Εθνική Εθνική Εταιρεία EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση PG-TDSON-8-5 0

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση PG-TDSON-8-5 θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.