• NCV5183DR2G Τηλεοράσεις δίοδος Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND
NCV5183DR2G Τηλεοράσεις δίοδος Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND

NCV5183DR2G Τηλεοράσεις δίοδος Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: αρχικός
Μάρκα: original
Πιστοποίηση: original
Αριθμό μοντέλου: NCV5183DR2G

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες: Κιβώτιο χαρτοκιβωτίων
Χρόνος παράδοσης: 1-3working ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T, L/C
Δυνατότητα προσφοράς: 100.000
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Τύπος εισαγωγής: Μη-αναστροφή Υψηλή δευτερεύουσα τάση - Max (δόλωμα): 600 Β
Χρόνος ανόδου/πτώση (τύπος): 12ns, 12ns Λειτουργούσα θερμοκρασία: -40°C ~ 125°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος: Η επιφάνεια τοποθετεί Συσκευασία/περίπτωση: 8-SOIC (πλάτος 0,154», 3.90mm)
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών: 8-SOIC Αριθμός προϊόντων βάσεων: NCV5183

Περιγραφή προϊόντων

NCV5183DR2G Τηλεοράσεις δίοδος Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND

 

Μη αναστροφικό IC προγράμματος οδήγησης πύλης Half-Bridge 8-SOIC

 

Προδιαγραφές NCV5183DR2G

 

ΤΥΠΟΣ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατηγορία Ολοκληρωμένα κυκλώματα (IC)
Διαχείριση ενέργειας (PMIC)
Gate Drivers
Mfr onsemi
Σειρά Αυτοκίνητο, AEC-Q100
Πακέτο Ταινία και καρούλι (TR)
Κοπή ταινίας (CT)
Digi-Reel®
Κατάσταση προϊόντος Ενεργός
Digi-Key Προγραμματιζόμενο Δεν επαληθεύεται
Driven Configuration Μισογέφυρα
Τύπος καναλιού Ανεξάρτητος
Αριθμός οδηγών 2
Τύπος πύλης MOSFET N-Channel
Τάση - Τροφοδοσία 9V ~ 18V
Logic Voltage - VIL, VIH 1,2V, 2,5V
Ρεύμα - Μέγιστη έξοδος (Πηγή, Νεροχύτης) 4,3Α, 4,3Α
Τύπος εισόδου Μη αντιστρεπτική
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V
Ώρα ανόδου / πτώσης (Τύπος) 12 δευτ., 12 δ
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 125°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης Αναρτημένο στην επιφάνεια
Πακέτο / Θήκη 8-SOIC (0,154", πλάτος 3,90 mm)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή 8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος NCV5183

 

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ τουNCV5183DR2G

 
Αυτοκίνητο Πιστοποιημένο για AEC Q100
Εύρος τάσης: έως 600 VdV/dt Ανοσία
Εύρος τροφοδοσίας Gate Drive από 9 V έως 18 V
Πηγή εξόδου / Δυνατότητα ρεύματος νεροχύτη 4,3 A / 4,3 A
Συμβατό με λογική εισόδου 3,3 V και 5 V
Εκτεταμένη επιτρεπόμενη ταλάντευση τάσης πείρου αρνητικής γέφυρας στα –10 V
Αντιστοιχισμένες καθυστερήσεις μετάδοσης μεταξύ των δύο καναλιών
Καθυστέρηση διάδοσης 120 ns συνήθως
Κάτω από VCC LockOut (UVLO) και για τα δύο κανάλια
Pin to Pin Συμβατό με τα βιομηχανικά πρότυπα
Αυτές είναι συσκευές χωρίς Pb
 

Εφαρμογές τουNCV5183DR2G

 
Τροφοδοτικά για Telecom και Datacom
Μετατροπείς Half-Bridge και Full-Bridge
Μετατροπείς Push−Pull
Υψηλής Τάσης Σύγχρονοι-Μετατροπείς Buck
 
 

Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις τουNCV5183DR2G

 

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατάσταση RoHS Συμβατό με ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) 1 (Απεριόριστο)
Κατάσταση REACH REACH Δεν επηρεάζεται
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001
 

 

NCV5183DR2G Τηλεοράσεις δίοδος Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND 0

 

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd NCV5183DR2G Τηλεοράσεις δίοδος Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.