NCV5183DR2G Τηλεοράσεις δίοδος Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND
Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: | αρχικός |
Μάρκα: | original |
Πιστοποίηση: | original |
Αριθμό μοντέλου: | NCV5183DR2G |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: | 1 |
---|---|
Τιμή: | negotiation |
Συσκευασία λεπτομέρειες: | Κιβώτιο χαρτοκιβωτίων |
Χρόνος παράδοσης: | 1-3working ημέρες |
Όροι πληρωμής: | T/T, L/C |
Δυνατότητα προσφοράς: | 100.000 |
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
Τύπος εισαγωγής: | Μη-αναστροφή | Υψηλή δευτερεύουσα τάση - Max (δόλωμα): | 600 Β |
---|---|---|---|
Χρόνος ανόδου/πτώση (τύπος): | 12ns, 12ns | Λειτουργούσα θερμοκρασία: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Τοποθετώντας τύπος: | Η επιφάνεια τοποθετεί | Συσκευασία/περίπτωση: | 8-SOIC (πλάτος 0,154», 3.90mm) |
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών: | 8-SOIC | Αριθμός προϊόντων βάσεων: | NCV5183 |
Περιγραφή προϊόντων
NCV5183DR2G Τηλεοράσεις δίοδος Smd Ic Gate Drvr Half-Bridge 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND
Μη αναστροφικό IC προγράμματος οδήγησης πύλης Half-Bridge 8-SOIC
Προδιαγραφές NCV5183DR2G
ΤΥΠΟΣ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
Κατηγορία | Ολοκληρωμένα κυκλώματα (IC) |
Διαχείριση ενέργειας (PMIC) | |
Gate Drivers | |
Mfr | onsemi |
Σειρά | Αυτοκίνητο, AEC-Q100 |
Πακέτο | Ταινία και καρούλι (TR) |
Κοπή ταινίας (CT) | |
Digi-Reel® | |
Κατάσταση προϊόντος | Ενεργός |
Digi-Key Προγραμματιζόμενο | Δεν επαληθεύεται |
Driven Configuration | Μισογέφυρα |
Τύπος καναλιού | Ανεξάρτητος |
Αριθμός οδηγών | 2 |
Τύπος πύλης | MOSFET N-Channel |
Τάση - Τροφοδοσία | 9V ~ 18V |
Logic Voltage - VIL, VIH | 1,2V, 2,5V |
Ρεύμα - Μέγιστη έξοδος (Πηγή, Νεροχύτης) | 4,3Α, 4,3Α |
Τύπος εισόδου | Μη αντιστρεπτική |
High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600 V |
Ώρα ανόδου / πτώσης (Τύπος) | 12 δευτ., 12 δ |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Τύπος τοποθέτησης | Αναρτημένο στην επιφάνεια |
Πακέτο / Θήκη | 8-SOIC (0,154", πλάτος 3,90 mm) |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SOIC |
Βασικός αριθμός προϊόντος | NCV5183 |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ τουNCV5183DR2G
•Αυτοκίνητο Πιστοποιημένο για AEC Q100
•Εύρος τάσης: έως 600 V•dV/dt Ανοσία
•Εύρος τροφοδοσίας Gate Drive από 9 V έως 18 V
•Πηγή εξόδου / Δυνατότητα ρεύματος νεροχύτη 4,3 A / 4,3 A
•Συμβατό με λογική εισόδου 3,3 V και 5 V
•Εκτεταμένη επιτρεπόμενη ταλάντευση τάσης πείρου αρνητικής γέφυρας στα –10 V
•Αντιστοιχισμένες καθυστερήσεις μετάδοσης μεταξύ των δύο καναλιών
•Καθυστέρηση διάδοσης 120 ns συνήθως
•Κάτω από VCC LockOut (UVLO) και για τα δύο κανάλια
•Pin to Pin Συμβατό με τα βιομηχανικά πρότυπα
•Αυτές είναι συσκευές χωρίς Pb
Εφαρμογές τουNCV5183DR2G
•Τροφοδοτικά για Telecom και Datacom
•Μετατροπείς Half-Bridge και Full-Bridge
•Μετατροπείς Push−Pull
•Υψηλής Τάσης Σύγχρονοι-Μετατροπείς Buck
Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις τουNCV5183DR2G
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
Κατάσταση RoHS | Συμβατό με ROHS3 |
Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) | 1 (Απεριόριστο) |
Κατάσταση REACH | REACH Δεν επηρεάζεται |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.39.0001 |
Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν