 |
FM25L04B-GATR FRAM (Ferroelectric RAM) IC μνήμης 4Kbit SPI 10 MHz 8-SOIC
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | Αρχική |
| Μάρκα: | original |
| Πιστοποίηση: | original |
| Αριθμό μοντέλου: | FM25L04B-GATR |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 1 |
|---|---|
| Τιμή: | negotiation |
| Συσκευασία λεπτομέρειες: | Καρτόνι |
| Χρόνος παράδοσης: | 1-3 εργάσιμες ημέρες |
| Όροι πληρωμής: | Τ/Τ |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 100,000 |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Φόρμα μνήμης: | FRAM | Τεχνολογία: | FRAM (σιδηροηλεκτρικό RAM) |
|---|---|---|---|
| Μέγεθος μνήμης: | 4Kbit | Οργάνωση μνήμης: | 512 x 8 |
| Διασύνδεση μνήμης: | ΠΕΠ | Συχνότητα ρολογιού: | 10 MHz |
| Πρόσθετη τάση: | 3V ~ 3,6V | Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C (TA) |
Περιγραφή προϊόντων
FM25L04B-GATR FRAM (Ferroelectric RAM) IC μνήμης 4Kbit SPI 10 MHz 8-SOIC
Προδιαγραφές FM25L04B-GATR
| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατηγορία | Συμπλέκτες (IC) |
| Μνήμη | |
| Μνήμη | |
| Δρ. | Ινφίνιον Τεχνολογίες |
| Σειρά | Αεροπορική, AEC-Q100, F-RAMTM |
| Πακέτο | Ταινία και τροχό (TR) |
| Τύπος μνήμης | Μη πτητικά |
| Φόρμα μνήμης | ΦΡΑΜ |
| Τεχνολογία | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Μέγεθος μνήμης | 4Kbit |
| Οργάνωση μνήμης | 512 x 8 |
| Διασύνδεση μνήμης | ΠΕΠ |
| Συχνότητα ρολογιού | 10 MHz |
| Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα | - |
| Πρόσθετη τάση | 3V ~ 3,6V |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Τύπος στερέωσης | Επεξεργασία επιφανείας |
| Πακέτο / Κουτί | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm πλάτος) |
| Πακέτο συσκευής του προμηθευτή | 8-SOIC |
| Αριθμός βασικού προϊόντος | FM25L04 |
Χαρακτηριστικά FM25L04B-GATR
■ 4Kbit σιδηροηλεκτρική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (F-RAM) λογικά οργανωμένη ως 512 × 8
️ Υψηλής αντοχής 10 τρισεκατομμύρια (1013) ανάγνωση/γράφηση
Η διατήρηση των δεδομένων για 121 έτη (βλέπε πίνακα Διατήρηση και αντοχή των δεδομένων)
NoDelayTM γράφει
∆ Προηγμένη σιδηροηλεκτρική διαδικασία υψηλής αξιοπιστίας
■ Πολύ γρήγορη σειριακή περιφερειακή διεπαφή (SPI)
∆ημοκρατία
∆ άμεση αντικατάσταση του υλικού για το σειριακό φλας και το EEPROM
Υποστηρίζει τη λειτουργία SPI 0 (0, 0) και τη λειτουργία 3 (1, 1)
■ Προηγμένο σύστημα προστασίας της γραπτής καταγραφής
Προστασία του υλικού με τη χρήση της καρφίτσας Write Protect (WP)
Προστασία λογισμικού με χρήση της εντολής Write Disable
Προστασία λογισμικού μπλοκ για 1/4, 1/2 ή ολόκληρο το φάσμα
■ Μικρή κατανάλωση ενέργειας
Δύναμος ενεργός ρεύματος 200 A σε 1 MHz
Δύναμη εκτίμησης
■ Λειτουργία χαμηλής τάσης: VDD = 3,0 V έως 3,6 V
■ Θερμοκρασία αυτοκινήτου: ¥40 ¥C έως +125 ¥C
■ Πακέτο ολοκληρωμένου κυκλώματος μικρού περιγράμματος (SOIC) 8 πινών
■ συμμόρφωση με την AEC Q100 βαθμός 1
■ Περιορισμός των επικίνδυνων ουσιών (RoHS)
Εφαρμογές FM25L04B-GATR
Η FM25L04B είναι μια μη πτητική μνήμη 4 Kbit που χρησιμοποιεί μια προηγμένη σιδηροηλεκτρική διαδικασία.Παρέχει αξιόπιστη διατήρηση δεδομένων για 121 χρόνια, εξαλείφοντας παράλληλα τις πολυπλοκότητες, τα έξοδα λειτουργίας και τα προβλήματα αξιοπιστίας σε επίπεδο συστήματος που προκαλούνται από σειριακό flash, EEPROM και άλλες μη πτητικές μνήμες.
Περιβαλλοντικές και εξαγωγικές ταξινόμησηFM25L04B-GATR
| ΑΤΡΙΒΟΥΤ | Περιγραφή |
| Κατάσταση RoHS | Συμμόρφωση με την οδηγία ROHS3 |
| Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) | 3 (168 ώρες) |
| Το καθεστώς REACH | REACH Μη επηρεασμένη |
| Εθνική Εθνική Εταιρεία | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
