• IPB64N25S3-20 N-Channel MOSFET IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση PG-TO263-3-2
IPB64N25S3-20 N-Channel MOSFET IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση PG-TO263-3-2

IPB64N25S3-20 N-Channel MOSFET IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση PG-TO263-3-2

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: πρωτότυπο
Μάρκα: original
Πιστοποίηση: original
Αριθμό μοντέλου: Διάταξη 3

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες: Καρτόνι
Χρόνος παράδοσης: 1-3 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής: Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς: 100,000
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Τύπος FET: N-Κανάλι Τεχνολογία: MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Τεχνική μέθοδος: 250 Β Τρέχοντας - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: 64A (TC)
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019: 10V Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270μA Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Υψηλό φως:

Διάταξη 3

,

IPB64N25S3-20 MOSFET IC

,

Δικτυακό σύστημα MOSFET N-Channel

Περιγραφή προϊόντων

IPB64N25S3-20 Ν-Κανάλι 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Επικεφαλίδα PG-TO263-3-2

 

Προδιαγραφές Διάταξη 3

 

Τύπος Περιγραφή
Κατηγορία Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
  Τρανζίστορες
  FETs, MOSFETs
  Μοναδικά FET, MOSFET
Δρ. Ινφίνιον Τεχνολογίες
Σειρά OptiMOSTM
Πακέτο Ταινία και τροχό (TR)
  Τραπέζια κόψιμο (CT)
Τύπος FET N-Κανάλι
Τεχνολογία MOSFET (οξείδιο μετάλλου)
Τεχνική μέθοδος 250 V
Τρέχοντας - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C 64A (Tc)
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019 10V
Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs 20mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270μA
Τεχνική διάταξη 89 nC @ 10 V
Vgs (μέγιστο) ±20V
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V
Χαρακτηριστικό FET -
Δυναμική διάσπαση (μέγιστη) 300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή PG-TO263-3-2
Πακέτο / Κουτί ΤΟ-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), ΤΟ-263AB
Αριθμός βασικού προϊόντος IPB64N25

 
Χαρακτηριστικά Διάταξη 3


• N-κανάλι - Τρόπος ενίσχυσης
• Πιστοποίηση AEC
• MSL1 έως 260°C κορυφαία επανεξέλιξη
• θερμοκρασία λειτουργίας 175°C
 

 


 
Εφαρμογές Διάταξη 3

 

• Πράσινο προϊόν (συμμόρφωση με το RoHS)
• 100% Avalanche δοκιμάστηκε

 

 

Περιβαλλοντικές και εξαγωγικές ταξινόμησηΔιάταξη 3

 

ΑΤΡΙΒΟΥΤ Περιγραφή
Κατάσταση RoHS Συμμόρφωση με την οδηγία ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) 1 (απεριόριστο)
Το καθεστώς REACH REACH Μη επηρεασμένη
Εθνική Εθνική Εταιρεία EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

 IPB64N25S3-20 N-Channel MOSFET IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση PG-TO263-3-2 0

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd IPB64N25S3-20 N-Channel MOSFET IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση PG-TO263-3-2 θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.