• F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT τσιπ 650V 55A 200W ολοκληρωμένου κυκλώματος
F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT τσιπ 650V 55A 200W ολοκληρωμένου κυκλώματος

F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT τσιπ 650V 55A 200W ολοκληρωμένου κυκλώματος

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: αρχικός
Μάρκα: original
Πιστοποίηση: original
Αριθμό μοντέλου: F450R07W1H3B11ABOMA1

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: negotiable
Συσκευασία λεπτομέρειες: Κιβώτιο χαρτοκιβωτίων
Χρόνος παράδοσης: 1-3working ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T
Δυνατότητα προσφοράς: 100.000
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max): 650 Β Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max): 55 Α
Δύναμη - Max: 200 W Vce (επάνω) (Max) @ Vge, ολοκληρωμένο κύκλωμα: 1.85V @ 15V, 25A
Τρέχων - διακοπή συλλεκτών (Max): 50 μΑ Ικανότητα εισαγωγής (Cies) @ Vce: 3.25 nF @ 25 Β
Λειτουργούσα θερμοκρασία: -40°C ~ 150°C (TJ) Τύπος IGBT: Στάση Πεδίου Τάφρου
Επισημαίνω:

F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT

,

τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος 650V 55A

,

τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος 55A 200W

Περιγραφή προϊόντων

F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT τσιπ 650 Β 55 Α 200 W ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
 
Ο πλήρης αναστροφέας 650 Β 55 γεφυρών στάσεων τομέων τάφρων ενότητας IGBT ένα πλαίσιο 200 W τοποθετεί την ενότητα
 
Προδιαγραφές F450R07W1H3B11ABOMA1

 

ΤΥΠΟΣ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατηγορία Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Κρυσταλλολυχνίες
IGBTs
Ενότητες IGBT
Mfr Τεχνολογίες Infineon
Σειρά EasyPACK™
Συσκευασία Δίσκος
Θέση προϊόντων Ενεργός
Τύπος IGBT Στάση τομέων τάφρων
Διαμόρφωση Πλήρης αναστροφέας γεφυρών
Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max) 650 Β
Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max) 55 Α
Δύναμη - Max 200 W
Vce (επάνω) (Max) @ Vge, ολοκληρωμένο κύκλωμα 1.85V @ 15V, 25A
Τρέχων - διακοπή συλλεκτών (Max) 50 µA
Ικανότητα εισαγωγής (Cies) @ Vce 3.25 nF @ 25 Β
Εισαγωγή Πρότυπα
Θερμική αντίσταση NTC Ναι
Λειτουργούσα θερμοκρασία -40°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος Τα πλαίσια τοποθετούν
Συσκευασία/περίπτωση Ενότητα
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών Ενότητα
Αριθμός προϊόντων βάσεων F450R07

 
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα F450R07W1H3B11ABOMA1

 

• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• HighSpeedIGBTH3
• Lowinductivedesign
• LowSwitchingLosses
• LowVCEsat
• 2.5kVAC1minInsulation
• HighCreepageandClearanceDistances
• PressFITContactTechnology
• RoHScompliant
• Τραχύ μοντάρισμα λόγω των ενσωματωμένων σφιγκτηρών μονταρισμάτων

 


Εφαρμογές F450R07W1H3B11ABOMA1
 
• AutomotiveApplications
• HighFrequencySwitchingApplication
• DC/DCconverter
• AuxiliaryInverters
• HybridElectricalVehicles (Χ) EV
• InductiveHeatingandWelding
 
Περιβαλλοντικές & ταξινομήσεις εξαγωγής F450R07W1H3B11ABOMA1

 

ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Θέση RoHS ROHS3 υποχωρητικός
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) 1 (απεριόριστος)
Θέση ΠΡΟΣΙΤΟΤΗΤΑΣ ΠΡΟΣΙΤΟΤΗΤΑ απρόσβλητη
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT τσιπ 650V 55A 200W ολοκληρωμένου κυκλώματος 0

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT τσιπ 650V 55A 200W ολοκληρωμένου κυκλώματος θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.