 |
SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Channel 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | πρωτότυπο |
| Μάρκα: | original |
| Πιστοποίηση: | original |
| Αριθμό μοντέλου: | SQJ858AEP-T1_GE3 |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 1 |
|---|---|
| Τιμή: | negotiation |
| Συσκευασία λεπτομέρειες: | Καρτόνι |
| Χρόνος παράδοσης: | 1-3 εργάσιμες ημέρες |
| Όροι πληρωμής: | Τ/Τ |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 100,000 |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Τεχνική μέθοδος: | 40 V | Τρέχοντας - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: | 58A (TC) |
|---|---|---|---|
| Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019: | 4.5V, 10V | Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs: | 6.3mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA | Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs: | nC 55 @ 10 Β |
| Vgs (μέγιστο): | ±20V | Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds: | 2450 pF @ 20 V |
| Υψηλό φως: | SQJ858AEP-T1_GE3 smd ic,40 V μμ |
||
Περιγραφή προϊόντων
SQJ858AEP-T1_GE3 Ν. Διάδρομος 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση PowerPAK® SO-8
ΠροδιαγραφέςSQJ858AEP-T1_GE3
| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατηγορία | Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών |
| Τρανζίστορες | |
| FETs, MOSFETs | |
| Μοναδικά FET, MOSFET | |
| Δρ. | Vishay Siliconix |
| Σειρά | Αυτοκινήτου, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Πακέτο | Ταινία και τροχό (TR) |
| Τραπέζια κόψιμο (CT) | |
| Τύπος FET | N-Κανάλι |
| Τεχνολογία | MOSFET (οξείδιο μετάλλου) |
| Τεχνική μέθοδος | 40 V |
| Τρέχοντας - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019 | 4.5V, 10V |
| Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Τεχνική διάταξη | 55 nC @ 10 V |
| Vgs (μέγιστο) | ±20V |
| Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 20 V |
| Χαρακτηριστικό FET | - |
| Δυναμική διάσπαση (μέγιστη) | 48W (Tc) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Επεξεργασία επιφανείας |
| Πακέτο συσκευής του προμηθευτή | PowerPAK® SO-8 |
| Πακέτο / Κουτί | PowerPAK® SO-8 |
| Αριθμός βασικού προϊόντος | SQJ858 |
Χαρακτηριστικά SQJ858AEP-T1_GE3
• TrenchFET® Power MOSFET
• Απαίτηση AEC-Q101
• 100% Rg και UIS
ΠεριβαλλοντικήΕξαγωγικές ταξινομήσεις SQJ858AEP-T1_GE3
| ΑΤΡΙΒΟΥΤ | Περιγραφή |
| Κατάσταση RoHS | Συμμόρφωση με την οδηγία ROHS3 |
| Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) | 1 (απεριόριστο) |
| Εθνική Εθνική Εταιρεία | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν