 |
SIA427DJ-T1-GE3 P-Κανάλι 8 V 12A 3,5 W (Ta), 19 W PAK® SC-70-6
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | Αρχική |
| Μάρκα: | original |
| Πιστοποίηση: | original |
| Αριθμό μοντέλου: | SIA427DJ-T1-GE3 |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 1 |
|---|---|
| Τιμή: | negotiation |
| Συσκευασία λεπτομέρειες: | Καρτόνι |
| Χρόνος παράδοσης: | 3-5 ημέρες |
| Όροι πληρωμής: | Τ/Τ |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 1000 |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Τεχνολογία: | MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) | Τεχνική μέθοδος: | 8 Β |
|---|---|---|---|
| Τρέχοντας - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: | 12A (TC) | Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019: | 1.2V, 4.5V |
| Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs: | 16mOhm @ 8,2A, 4,5V | Vgs(th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250μA |
| Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs: | 50 nC @ 5 V | Vgs (μέγιστο): | ± 5V |
Περιγραφή προϊόντων
SIA427DJ-T1-GE3 Integrated Circuit Chip P-Channel 8 V 12A 3,5 W (Ta), 19 W PAK® SC-70-6
ΠροδιαγραφέςSIA427DJ-T1-GE3
| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατηγορία | Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών |
| Τρανζίστορες | |
| FETs, MOSFETs | |
| Μοναδικά FET, MOSFET | |
| Δρ. | Vishay Siliconix |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Πακέτο | Ταινία και τροχό (TR) |
| Τραπέζια κόψιμο (CT) | |
| Τύπος FET | Διάδρομος P |
| Τεχνολογία | MOSFET (οξείδιο μετάλλου) |
| Τεχνική μέθοδος | 8 V |
| Τρέχοντας - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C | 12Α (Tc) |
| Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019 | 1.2V, 4.5V |
| Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8,2A, 4,5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250μA |
| Τεχνική διάταξη | 50 nC @ 5 V |
| Vgs (μέγιστο) | ± 5V |
| Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 4 V |
| Χαρακτηριστικό FET | - |
| Δυναμική διάσπαση (μέγιστη) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Επεξεργασία επιφανείας |
| Πακέτο συσκευής του προμηθευτή | PowerPAK® SC-70-6 |
| Πακέτο / Κουτί | PowerPAK® SC-70-6 |
| Αριθμός βασικού προϊόντος | SIA427 |
ΧαρακτηριστικάSIA427DJ-T1-GE3
• TrenchFET® Power MOSFET
• Νέα θερμικά ενισχυμένη συσκευασία PowerPAK® SC-70
- Μικρή περιοχή αποτυπώματος
- Χαμηλή αντίσταση
• 100% Rg Δοκιμάστηκε
ΕφαρμογέςSIA427DJ-T1-GE3
• Διακόπτης φόρτωσης, για γραμμή ηλεκτρικής ενέργειας 1,2 V για φορητές και φορητές συσκευές
Περιβαλλοντικές και εξαγωγικές ταξινόμησηSIA427DJ-T1-GE3
| ΑΤΡΙΒΟΥΤ | Περιγραφή |
| Κατάσταση RoHS | Συμμόρφωση με την οδηγία ROHS3 |
| Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) | 1 (απεριόριστο) |
| Εθνική Εθνική Εταιρεία | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν