• NTS4409NT1G N-Channel MOSFET 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Επιφανειακή τοποθέτηση SC-70-3 SOT323
NTS4409NT1G N-Channel MOSFET 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Επιφανειακή τοποθέτηση SC-70-3 SOT323

NTS4409NT1G N-Channel MOSFET 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Επιφανειακή τοποθέτηση SC-70-3 SOT323

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Μάρκα: original
Πιστοποίηση: original
Αριθμό μοντέλου: NTS4409NT1G

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες: Καρτόνι
Χρόνος παράδοσης: 3-5 ημέρες
Όροι πληρωμής: Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς: 1000
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Τύπος FET: N-Channel Τεχνολογία: MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss): 25 Β Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C: 700mA (TA)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): 2.7V, 4.5V RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @: 1.5V @ 250µA Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4,5 Β
Vgs (Max): ±8V Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Υψηλό φως:

NTS4409NT1G

,

NTS4409NT1G N-Channel MOSFET

Περιγραφή προϊόντων

NTS4409NT1G N-Κανάλι 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Επιφανειακή τοποθέτηση SC-70-3 (SOT323)
 
Δοκιμαστική ενέργεια
 
ΠροδιαγραφέςNTS4409NT1G

 

Τύπος Περιγραφή
Κατηγορία Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
Μοναδικά FET, MOSFET
Δρ. μεν
Σειρά -
Πακέτο Ταινία και τροχό (TR)
Κατάσταση του προϊόντος Ενεργός
Τύπος FET N-Κανάλι
Τεχνολογία MOSFET (οξείδιο μετάλλου)
Τεχνική μέθοδος 25 V
Τρέχοντας - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C 700mA (Ta)
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019 2.7V, 4.5V
Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs 350mOhm @ 600mA, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Τεχνική διάταξη 1.5 nC @ 4,5 V
Vgs (μέγιστο) ±8V
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 10 V
Χαρακτηριστικό FET -
Δυναμική διάσπαση (μέγιστη) 280mW (Tj)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή SC-70-3 (SOT323)
Πακέτο / Κουτί SC-70, SOT-323
Αριθμός βασικού προϊόντος NTS4409

 
Χαρακτηριστικά
NTS4409NT1G


• Προχωρημένη επίπεδη τεχνολογία για ταχεία εναλλαγή, χαμηλό RDS (ενεργοποιημένο)
• Αύξηση της αποδοτικότητας και παράταση της ζωής της μπαταρίας
• Αξιολόγηση AEC-Q101 και ικανότητα PPAP − NVS4409N
• Οι συσκευές αυτές δεν περιέχουν Pb− και συμμορφώνονται με το RoHS

 


ΠροδιαγραφέςNTS4409NT1G

• Μετατροπέας Boost και Buck
• Διακόπτης φόρτωσης
• Προστασία της μπαταρίας

 


Περιβαλλοντικές και εξαγωγικές ταξινόμησηNTS4409NT1G

 
ΑΤΡΙΒΟΥΤ Περιγραφή
Κατάσταση RoHS Συμμόρφωση με την οδηγία ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) 1 (απεριόριστο)
Το καθεστώς REACH REACH Μη επηρεασμένη
Εθνική Εθνική Εταιρεία EAR99
HTSUS 8541.21.0095

 

NTS4409NT1G N-Channel MOSFET 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Επιφανειακή τοποθέτηση SC-70-3 SOT323 0


 

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd NTS4409NT1G N-Channel MOSFET 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Επιφανειακή τοποθέτηση SC-70-3 SOT323 θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.