• IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Μνήμη IC 4Gbit Παράλληλο 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA
IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Μνήμη IC 4Gbit Παράλληλο 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA

IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Μνήμη IC 4Gbit Παράλληλο 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: Αρχικός
Μάρκα: original
Πιστοποίηση: original
Αριθμό μοντέλου: Δελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006.

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες: Κιβώτιο χαρτοκιβωτίων
Χρόνος παράδοσης: 1-3working ημέρες
Όροι πληρωμής: Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς: 100.000
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Τύπος μνήμης: Φερεγγυότητα Σχήμα μνήμης: DRAM
Τεχνολογία: SDRAM - DDR3L Μέγεθος μνήμης: 4Gbit
Οργάνωση μνήμης: 256M X 16 Διεπαφή μνήμης: Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιών: 800 MHz Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα: 15ns
Χρόνος πρόσβασης: 20 ns
Υψηλό φως:

Δελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006.

,

Μνήμη IC SDRAM DDR3L

,

800 MHz IC μνήμης

Περιγραφή προϊόντων

  IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Μνήμη IC 4Gbit Παράλληλο 800 MHz 20 ns 96-TWBGA

 

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

 

Προδιαγραφές Δελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006.

 

Τύπος Περιγραφή
Κατηγορία Συμπλέκτες (IC)
Μνήμη
Δρ. ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Σειρά -
Πακέτο Τραπέζι
Κατάσταση του προϊόντος Παρωχημένο
Τύπος μνήμης Επικίνδυνα
Φόρμα μνήμης DRAM
Τεχνολογία SDRAM - DDR3L
Μέγεθος μνήμης 4Gbit
Οργάνωση μνήμης 256M x 16
Διασύνδεση μνήμης Παράλληλα
Συχνότητα ρολογιού 800 MHz
Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα 15n
Χρόνος πρόσβασης 20 ns
Πρόσθετη τάση 1.283V ~ 1.45V
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 105°C (TC)
Τύπος στερέωσης Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο / Κουτί 96-TFBGA
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή 96-TWBGA (9x13)
Αριθμός βασικού προϊόντος Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ

 
Χαρακτηριστικάτου
Δελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006.


* Τυποποιημένη τάση: VDD και VDDQ = 1,5V ± 0,075V
* Χαμηλή τάση (L): VDD και VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Πίσω συμβατό με 1.5V
* Ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων υψηλής ταχύτητας με συχνότητα συστήματος έως 1066 MHz
* 8 εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
* Αρχιτεκτονική 8n-bit προ-αναζήτησης
* Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS
* Προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση: 0, CL-1, CL-2
* Προγραμματισμένη καθυστέρηση εγγραφής CAS (CWL) με βάση το tCK
* Προγραμματιζόμενο μήκος εκρήξεως: 4 και 8
* Προγραμματιζόμενη ακολουθία εκρήξεως: ακολουθική ή διαλειμματική
* BL διακόπτης στην πτήση
* Αυτόματη ανανέωση (ASR)
* Αυτοανανεωτική θερμοκρασία (SRT)
* Διαστήμα ανανέωσης:
- 7, 8 ω (8192 κύκλοι/ 64 ms) Tc= -40°C έως 85°C
- 3,9 ω (8192 κύκλοι/32 ms) Tc= 85°C έως 105°C
* Συμμετοχική συστοιχία Αυτοανανέωση
* Ασύγχρονη καρφίτσα επαναφοράς
* Υποστηρίζεται το TDQS (Termination Data Strobe) (μόνο x8)
* OCD (προσαρμογή αντίστασης του οδηγού εκτός τσιπ)
* Δυναμική ODT (Σταματισμός κατά τη λήξη)
* Δύναμη οδηγού: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Γράψτε ισοπέδωση
* Μέχρι 200 MHz σε λειτουργία DLL εκτός
* Θερμοκρασία λειτουργίας:
- Εμπορική (TC = 0°C έως +95°C)
- Βιομηχανική (TC = -40°C έως +95°C)
- Αυτοκινητοβιομηχανία, Α1 (TC = -40°C έως +95°C)
- Αυτοκινητοβιομηχανία, Α2 (TC = -40°C έως +105°C)

 

 

ΕφαρμογέςτουΔελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006.


Διαμόρφωση:
- 512Mx8
- 256Mx16
Συσκευή:
- 96-ball BGA (9mm x 13mm) για x16
- 78-ball BGA (9mm x 10.5mm) για x8

 

 

Περιβαλλοντικές και εξαγωγικές ταξινόμησηΔελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006.

 

ΑΤΡΙΒΟΥΤ Περιγραφή
Κατάσταση RoHS Συμμόρφωση με την οδηγία ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) 3 (168 ώρες)
Το καθεστώς REACH REACH Μη επηρεασμένη
Εθνική Εθνική Εταιρεία EAR99
HTSUS 8542.32.0036

 

IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Μνήμη IC 4Gbit Παράλληλο 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA 0

 

  
 

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Μνήμη IC 4Gbit Παράλληλο 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.