IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Μνήμη IC 4Gbit Παράλληλο 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA
Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: | Αρχικός |
Μάρκα: | original |
Πιστοποίηση: | original |
Αριθμό μοντέλου: | Δελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006. |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: | 1 |
---|---|
Τιμή: | negotiation |
Συσκευασία λεπτομέρειες: | Κιβώτιο χαρτοκιβωτίων |
Χρόνος παράδοσης: | 1-3working ημέρες |
Όροι πληρωμής: | Τ/Τ |
Δυνατότητα προσφοράς: | 100.000 |
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
Τύπος μνήμης: | Φερεγγυότητα | Σχήμα μνήμης: | DRAM |
---|---|---|---|
Τεχνολογία: | SDRAM - DDR3L | Μέγεθος μνήμης: | 4Gbit |
Οργάνωση μνήμης: | 256M X 16 | Διεπαφή μνήμης: | Παράλληλα |
Συχνότητα ρολογιών: | 800 MHz | Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα: | 15ns |
Χρόνος πρόσβασης: | 20 ns | ||
Υψηλό φως: | Δελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006.,Μνήμη IC SDRAM DDR3L,800 MHz IC μνήμης |
Περιγραφή προϊόντων
IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Μνήμη IC 4Gbit Παράλληλο 800 MHz 20 ns 96-TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Προδιαγραφές Δελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006.
Τύπος | Περιγραφή |
Κατηγορία | Συμπλέκτες (IC) |
Μνήμη | |
Δρ. | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
Σειρά | - |
Πακέτο | Τραπέζι |
Κατάσταση του προϊόντος | Παρωχημένο |
Τύπος μνήμης | Επικίνδυνα |
Φόρμα μνήμης | DRAM |
Τεχνολογία | SDRAM - DDR3L |
Μέγεθος μνήμης | 4Gbit |
Οργάνωση μνήμης | 256M x 16 |
Διασύνδεση μνήμης | Παράλληλα |
Συχνότητα ρολογιού | 800 MHz |
Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα | 15n |
Χρόνος πρόσβασης | 20 ns |
Πρόσθετη τάση | 1.283V ~ 1.45V |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 105°C (TC) |
Τύπος στερέωσης | Επεξεργασία επιφανείας |
Πακέτο / Κουτί | 96-TFBGA |
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή | 96-TWBGA (9x13) |
Αριθμός βασικού προϊόντος | Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
ΧαρακτηριστικάτουΔελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006.
* Τυποποιημένη τάση: VDD και VDDQ = 1,5V ± 0,075V
* Χαμηλή τάση (L): VDD και VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Πίσω συμβατό με 1.5V
* Ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων υψηλής ταχύτητας με συχνότητα συστήματος έως 1066 MHz
* 8 εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
* Αρχιτεκτονική 8n-bit προ-αναζήτησης
* Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS
* Προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση: 0, CL-1, CL-2
* Προγραμματισμένη καθυστέρηση εγγραφής CAS (CWL) με βάση το tCK
* Προγραμματιζόμενο μήκος εκρήξεως: 4 και 8
* Προγραμματιζόμενη ακολουθία εκρήξεως: ακολουθική ή διαλειμματική
* BL διακόπτης στην πτήση
* Αυτόματη ανανέωση (ASR)
* Αυτοανανεωτική θερμοκρασία (SRT)
* Διαστήμα ανανέωσης:
- 7, 8 ω (8192 κύκλοι/ 64 ms) Tc= -40°C έως 85°C
- 3,9 ω (8192 κύκλοι/32 ms) Tc= 85°C έως 105°C
* Συμμετοχική συστοιχία Αυτοανανέωση
* Ασύγχρονη καρφίτσα επαναφοράς
* Υποστηρίζεται το TDQS (Termination Data Strobe) (μόνο x8)
* OCD (προσαρμογή αντίστασης του οδηγού εκτός τσιπ)
* Δυναμική ODT (Σταματισμός κατά τη λήξη)
* Δύναμη οδηγού: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Γράψτε ισοπέδωση
* Μέχρι 200 MHz σε λειτουργία DLL εκτός
* Θερμοκρασία λειτουργίας:
- Εμπορική (TC = 0°C έως +95°C)
- Βιομηχανική (TC = -40°C έως +95°C)
- Αυτοκινητοβιομηχανία, Α1 (TC = -40°C έως +95°C)
- Αυτοκινητοβιομηχανία, Α2 (TC = -40°C έως +105°C)
ΕφαρμογέςτουΔελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006.
Διαμόρφωση:
- 512Mx8
- 256Mx16
Συσκευή:
- 96-ball BGA (9mm x 13mm) για x16
- 78-ball BGA (9mm x 10.5mm) για x8
Περιβαλλοντικές και εξαγωγικές ταξινόμησηΔελτίο ΕΚΑΧ της 16ης Ιουλίου 2006.
ΑΤΡΙΒΟΥΤ | Περιγραφή |
Κατάσταση RoHS | Συμμόρφωση με την οδηγία ROHS3 |
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) | 3 (168 ώρες) |
Το καθεστώς REACH | REACH Μη επηρεασμένη |
Εθνική Εθνική Εταιρεία | EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0036 |