 |
MT41K512M16HA-125IT το ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης με 8Gbit παραλληλίζει 800 MHZ 13,5 NS 96-FBGA
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | Αρχικός |
| Μάρκα: | original |
| Πιστοποίηση: | original |
| Αριθμό μοντέλου: | MT41K512M16HA-125IT:A |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 1 |
|---|---|
| Τιμή: | negotiation |
| Συσκευασία λεπτομέρειες: | Κιβώτιο χαρτοκιβωτίων |
| Χρόνος παράδοσης: | 1-3working ημέρες |
| Όροι πληρωμής: | T/T |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 100.000 |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Τεχνολογία: | SDRAM - DDR3L | Μέγεθος μνήμης: | 8 Gbit |
|---|---|---|---|
| Οργάνωση μνήμης: | 512 εκ. x 16 | Διασύνδεση μνήμης: | Παράλληλα |
| Συχνότητα ρολογιού: | 800 MHz | Χρόνος πρόσβασης: | 13,5 ns |
| Πρόσθετη τάση: | 1.283V ~ 1.45V | Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Υψηλό φως: | MT41K512M16HA-125IT ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης,8Gbit παράλληλο ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης |
||
Περιγραφή προϊόντων
MT41K512M16HA-125IT: Μνήμη IC με 8Gbit Παράλληλο 800 MHz 13,5 ns 96-FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
ΠροδιαγραφέςΜΜΕ:Προσωπικό
| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατηγορία | Συμπλέκτες (IC) |
| Μνήμη | |
| Δρ. | Η Micron Technology Inc. |
| Σειρά | - |
| Πακέτο | Τραπέζι |
| Κατάσταση του προϊόντος | Παρωχημένο |
| Τύπος μνήμης | Επικίνδυνα |
| Φόρμα μνήμης | DRAM |
| Τεχνολογία | SDRAM - DDR3L |
| Μέγεθος μνήμης | 8Gbit |
| Οργάνωση μνήμης | 512M x 16 |
| Διασύνδεση μνήμης | Παράλληλα |
| Συχνότητα ρολογιού | 800 MHz |
| Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα | - |
| Χρόνος πρόσβασης | 13.5 ns |
| Πρόσθετη τάση | 1.283V ~ 1.45V |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Τύπος στερέωσης | Επεξεργασία επιφανείας |
| Πακέτο / Κουτί | 96-TFBGA |
| Πακέτο συσκευής του προμηθευτή | 96-FBGA (9x14) |
| Αριθμός βασικού προϊόντος | ΜΜΕΠΟΛΙΤΗΣΗ |
ΧαρακτηριστικάτουΜΜΕ:Προσωπικό
• VDD = VDDQ = 1,35V (1,283·1,45V)
• Εναλλακτική συμβατότητα με το VDD = VDDQ = 1,5V ± 0,075V
Υποστηρίζει συσκευές DDR3L για να είναι συμβατές προς τα πίσω σε εφαρμογές 1.5V
• Διαφορετικό δικατευθυντικό στροβίδιο δεδομένων
• Αρχιτεκτονική 8n-bit prefetch
• Διαφορετικές εισροές ρολογιού (CK, CK#)
• 8 εσωτερικές τράπεζες
• Ονομαστική και δυναμική τερματισμός (ODT) για τα σήματα δεδομένων, στροβίδας και μάσκας
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS (READ) (CL)
• Προγραμματιζόμενη καθυστέρηση πρόσθετης CAS (AL)
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS (WRITE) (CWL)
• Σταθερό μήκος εκρήξεως (BL) 8 και εκρήξεως (BC) 4 (μέσω του συνόλου καταλόγου τρόπου [MRS])
• Επιλέξιμη BC4 ή BL8 on-the-fly (OTF)
• Τρόπος αυτοανανέωσης
• TC 95°C
- 64ms, 8192 κύκλοι ανανέωσης έως 85°C
32ms, 8192 κύκλους ανανέωσης σε > 85°C έως 95°C
• Θέρμανση αυτοανανέωσης (SRT)
• Αυτόματη ανανέωση (ASR)
• Γράψτε ισοπέδωση
• Πολυεπιχειρησιακό μητρώο
• Κλιματισμός οδηγού εξόδου
Περιγραφές του MT41K512M16HA-125 IT:A
Η DDR3L (1.35V) SDRAM είναι μια έκδοση χαμηλής τάσης της DDR3 (1.5V) SDRAM.
Περιβαλλοντικές και εξαγωγικές ταξινόμησηΜΜΕ:Προσωπικό
| ΑΤΡΙΒΟΥΤ | Περιγραφή |
| Κατάσταση RoHS | Συμμόρφωση με την οδηγία ROHS3 |
| Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) | 3 (168 ώρες) |
| Το καθεστώς REACH | REACH Μη επηρεασμένη |
| Εθνική Εθνική Εταιρεία | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
