 |
CY62157ELL-45ZSXIT Αισθητήρας θερμοκρασίας Chip Ic Sram 8mbit Parallel 44tsop Ii
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | αρχικός |
| Μάρκα: | original |
| Πιστοποίηση: | original |
| Αριθμό μοντέλου: | CY62157ELL-45ZSXIT |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 1 |
|---|---|
| Τιμή: | negotiation |
| Συσκευασία λεπτομέρειες: | Κιβώτιο χαρτοκιβωτίων |
| Χρόνος παράδοσης: | 1-3working ημέρες |
| Όροι πληρωμής: | T/T, L/C |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 100.000 |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Θέση προϊόντων: | Ενεργός | Τύπος μνήμης: | Πτητικός |
|---|---|---|---|
| Σχήμα μνήμης: | SRAM | Τεχνολογία: | SRAM - Ασύγχρονος |
| Μέγεθος μνήμης: | 8 Mbit | Οργάνωση μνήμης: | 512K Χ 16 |
| Διεπαφή μνήμης: | Παράλληλος | Write Cycle Time - Word, Σελίδα: | 45ns |
Περιγραφή προϊόντων
CY62157ELL-45ZSXIT Αισθητήρας θερμοκρασίας Chip Ic Sram 8mbit Parallel 44tsop Ii
SRAM - Ασύγχρονη μνήμη IC 8Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II
Προδιαγραφές του CY62157ELL-45ZSXIT
| ΤΥΠΟΣ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
| Κατηγορία | Ολοκληρωμένα κυκλώματα (IC) |
| Μνήμη | |
| Μνήμη | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Σειρά | MoBL® |
| Πακέτο | Ταινία και καρούλι (TR) |
| Κατάσταση προϊόντος | Ενεργός |
| Τύπος μνήμης | Πτητικός |
| Μορφή μνήμης | SRAM |
| Τεχνολογία | SRAM - Ασύγχρονη |
| Μέγεθος μνήμης | 8 Mbit |
| Οργάνωση Μνήμης | 512K x 16 |
| Διεπαφή μνήμης | Παράλληλο |
| Write Cycle Time - Word, Σελίδα | 45 δευτ |
| Χρόνος πρόσβασης | 45 ns |
| Τάση - Τροφοδοσία | 4,5V ~ 5,5V |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Τύπος τοποθέτησης | Αναρτημένο στην επιφάνεια |
| Πακέτο / Θήκη | 44-TSOP (0,400", πλάτος 10,16 mm) |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 44-ΤΣΟΠ II |
| Βασικός αριθμός προϊόντος | CY62157 |
Χαρακτηριστικά τουCY62157ELL-45ZSXIT
■ Πολύ υψηλή ταχύτητα: 45 ns
- Βιομηχανικό: –40 °C έως +85 °C
- Automotive-E: –40 °C έως +125 °C
■ Ευρεία περιοχή τάσης: 4,5 V–5,5 V
■ Εξαιρετικά χαμηλή ισχύς αναμονής
- Τυπικό ρεύμα αναμονής: 2 A
- Μέγιστο ρεύμα αναμονής: 8 A (Βιομηχανικό)
■ Εξαιρετικά χαμηλή ενεργή ισχύς
- Τυπικό ενεργό ρεύμα: 1,8 mA σε f = 1 MHz
■ Εξαιρετικά χαμηλή ισχύς αναμονής
■ Εύκολη επέκταση μνήμης με χαρακτηριστικά CE1, CE2 και OE
■ Αυτόματη απενεργοποίηση όταν καταργείται η επιλογή
■ CMOS για βέλτιστη ταχύτητα και ισχύ
■ Διατίθεται σε συσκευασία TSOP II 44 ακίδων χωρίς Pb και VFBGA 48 σφαιρών
Εφαρμογές τουCY62157ELL-45ZSXIT
Η CY62157E είναι μια στατική RAM CMOS υψηλής απόδοσης οργανωμένη ως 512K λέξεις ανά 16 bit.Αυτή η συσκευή διαθέτει προηγμένο σχεδιασμό κυκλώματος για να παρέχει εξαιρετικά χαμηλό ενεργό ρεύμα.Αυτό είναι ιδανικό για την παροχή μεγαλύτερης διάρκειας μπαταρίας (MoBL®) σε φορητές εφαρμογές.Η συσκευή διαθέτει επίσης μια λειτουργία αυτόματης απενεργοποίησης που μειώνει σημαντικά την κατανάλωση ενέργειας όταν οι διευθύνσεις δεν αλλάζουν.Θέστε τη συσκευή σε κατάσταση αναμονής όταν αποεπιλέξετε (CE1 HIGH ή CE2 LOW ή και τα δύο BHE και BLE είναι HIGH).Οι ακίδες εισόδου ή εξόδου (I/O0 έως I/O15) τοποθετούνται σε κατάσταση υψηλής σύνθετης αντίστασης όταν:
■ Καταργήθηκε η επιλογή (CE1HIGH ή CE2 LOW)
■ Οι έξοδοι είναι απενεργοποιημένες (OE HIGH)
■ Τόσο το Byte High Enable όσο και το Byte Low Enable είναι απενεργοποιημένα (BHE, BLE HIGH)
■ Η λειτουργία εγγραφής είναι ενεργή (CE1 LOW, CE2 HIGH και WE LOW)
Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις τουCY62157ELL-45ZSXIT
| ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
| Κατάσταση RoHS | Συμβατό με ROHS3 |
| Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) | 3 (168 ώρες) |
| Κατάσταση REACH | REACH Δεν επηρεάζεται |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν