 |
FM25H20-DG Αισθητήρας θερμοκρασίας Chip Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | αρχικός |
| Μάρκα: | original |
| Πιστοποίηση: | original |
| Αριθμό μοντέλου: | Fm25h20-Γενική Διεύθυνση |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 1 |
|---|---|
| Τιμή: | negotiation |
| Συσκευασία λεπτομέρειες: | Κιβώτιο χαρτοκιβωτίων |
| Χρόνος παράδοσης: | 1-3working ημέρες |
| Όροι πληρωμής: | T/T, L/C |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 100.000 |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Συσκευασία: | Σωλήνας | Θέση προϊόντων: | Ξεπερασμένος |
|---|---|---|---|
| Τύπος μνήμης: | Αμετάβλητος | Σχήμα μνήμης: | FRAM |
| Τεχνολογία: | FRAM (σιδηροηλεκτρικό RAM) | Μέγεθος μνήμης: | 2 Mbit |
| Οργάνωση μνήμης: | 256K Χ 8 | Διεπαφή μνήμης: | SPI |
Περιγραφή προϊόντων
FM25H20-DG Αισθητήρας θερμοκρασίας Chip Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
FRAM (Ferroelectric RAM) Μνήμη IC 2Mbit SPI 40 MHz 8-DFN (5x6)
Προδιαγραφές του FM25H20-DG
| ΤΥΠΟΣ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
| Κατηγορία | Ολοκληρωμένα κυκλώματα (IC) |
| Μνήμη | |
| Μνήμη | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Σειρά | F-RAM™ |
| Πακέτο | Σωλήνας |
| Κατάσταση προϊόντος | Απαρχαιωμένος |
| Τύπος μνήμης | Μη πτητικό |
| Μορφή μνήμης | ΠΛΑΙΣΙΟ |
| Τεχνολογία | FRAM (Σιδηροηλεκτρική RAM) |
| Μέγεθος μνήμης | 2 Mbit |
| Οργάνωση Μνήμης | 256K x 8 |
| Διεπαφή μνήμης | SPI |
| Συχνότητα ρολογιού | 40 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Σελίδα | - |
| Τάση - Τροφοδοσία | 2,7V ~ 3,6V |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Τύπος τοποθέτησης | Αναρτημένο στην επιφάνεια |
| Πακέτο / Θήκη | 8-WDFN Exposed Pad |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-DFN (5x6) |
| Βασικός αριθμός προϊόντος | FM25H20 |
Χαρακτηριστικά τουFM25H20-DG
■ Σιδηροηλεκτρική μνήμη τυχαίας πρόσβασης 2 Mbit (F-RAM) λογικάοργανωμένο ως 256 K × 8
- 100 τρισεκατομμύρια (1014) ανάγνωση/εγγραφή υψηλής αντοχής
- Διατήρηση δεδομένων 151 ετών (Βλ. Διατήρηση δεδομένωνκαιπίνακας αντοχής)
- Γράφει το NoDelay™
- Προηγμένη σιδηροηλεκτρική διαδικασία υψηλής αξιοπιστίας
■ Πολύ γρήγορη σειριακή περιφερειακή διεπαφή (SPI)
- Συχνότητα έως 40 MHz
-Απευθείας αντικατάσταση υλικού για σειριακό φλας καιEEPROM
-Υποστηρίζει τη λειτουργία SPI 0 (0, 0) και τη λειτουργία 3 (1, 1)
■ Εξελιγμένο σύστημα προστασίας εγγραφής
-Προστασία υλικού με χρήση του Write Protect (WP)καρφίτσα
-Προστασία λογισμικού με χρήση του Write Disableεντολή
-Προστασία μπλοκ λογισμικού για 1/4, 1/2 ήολόκληρη τη συστοιχία
■ Χαμηλή κατανάλωση ρεύματος
-Ενεργό ρεύμα 1 mA στο 1 MHz
-80nA(typ) ρεύμα αναμονής
-3nAρεύμα κατάστασης ύπνου
■ Λειτουργία χαμηλής τάσης: VDD = 2,7 V έως 3,6 V
■ Βιομηχανική θερμοκρασία –40 C έως +85 C
■ Πακέτα
-Ολοκληρωμένο κύκλωμα μικρού περιγράμματος 8 ακίδων (SOIC)πακέτο
-Λεπτή διπλή επίπεδη συσκευασία χωρίς καλώδια (TDFN) 8 ακίδων
■ Περιορισμός επικίνδυνων ουσιών (RoHS)υποχωρητικός
Εφαρμογές τουFM25H20-DG
Το FM25H20 είναι μια μη πτητική μνήμη 2 Mbit που χρησιμοποιεί έναπροηγμένη σιδηροηλεκτρική διαδικασία.Μια σιδηροηλεκτρική τυχαία πρόσβασηΗ μνήμη ή η F-RAM είναι μη πτητική και εκτελεί ανάγνωση και εγγραφήπαρόμοια με μια μνήμη RAM.Παρέχει αξιόπιστη διατήρηση δεδομένων για 151 χρόνιαενώ εξαλείφονται οι πολυπλοκότητες, τα γενικά έξοδα και το επίπεδο συστήματοςπροβλήματα αξιοπιστίας που προκαλούνται από σειριακό φλας, EEPROM και άλλαμη ασταθείς μνήμες.
Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις τουFM25H20-DG
| ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
| Κατάσταση RoHS | Συμβατό με ROHS3 |
| Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) | 1 (Απεριόριστο) |
| Κατάσταση REACH | REACH Δεν επηρεάζεται |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν