• IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: αρχικός
Μάρκα: original
Πιστοποίηση: original
Αριθμό μοντέλου: Is43dr16640b-25dbli-TR

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες: Κιβώτιο χαρτοκιβωτίων
Χρόνος παράδοσης: 1-3working ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T, L/C
Δυνατότητα προσφοράς: 100.000
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Write Cycle Time - Word, Σελίδα: 15ns Χρόνος πρόσβασης: 400 CP
Τάση - ανεφοδιασμός: 1.7V ~ 1.9V Λειτουργούσα θερμοκρασία: -40°C ~ 85°C (TA)
Τοποθετώντας τύπος: Η επιφάνεια τοποθετεί Συσκευασία/περίπτωση: 84-TFBGA
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών: 84-TWBGA (8x12.5) Αριθμός προϊόντων βάσεων: IS43DR16640
Υψηλό φως:

IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM

,

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

,

DRAM IC 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

Περιγραφή προϊόντων

Is25lp040e-Jnle-Tr Wireless Rf Module Ic Flash 4mbit Spi/Quad 8soic

Is43dr16640b-25dbli-Tr Wireless Rf Module Ic Dram 1gbit Parallel 84twbga

SDRAM - Μνήμη DDR2 IC 1Gbit Parallel 400 MHz 400 ps 84-TWBGA (8x12,5)

 

Προδιαγραφές του Is43dr16640b-25dbli-Tr

 

ΤΥΠΟΣ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατηγορία Ολοκληρωμένα κυκλώματα (IC)
Μνήμη
Μνήμη
Mfr ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Σειρά -
Πακέτο Ταινία και καρούλι (TR)
Κατάσταση προϊόντος Όχι για νέα σχέδια
Digi-Key Προγραμματιζόμενο Δεν επαληθεύεται
Τύπος μνήμης Πτητικός
Μορφή μνήμης ΔΡΑΜΙ
Τεχνολογία SDRAM - DDR2
Μέγεθος μνήμης 1 Gbit
Οργάνωση Μνήμης 64 εκ. x 16
Διεπαφή μνήμης Παράλληλο
Συχνότητα ρολογιού 400 MHz
Write Cycle Time - Word, Σελίδα 15 δευτ
Χρόνος πρόσβασης 400 ps
Τάση - Τροφοδοσία 1,7V ~ 1,9V
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 85°C (TA)
Τύπος τοποθέτησης Αναρτημένο στην επιφάνεια
Πακέτο / Θήκη 84-TFBGA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή 84-TWBGA (8x12,5)
Βασικός αριθμός προϊόντος IS43DR16640

 

Χαρακτηριστικά τουIs43dr16640b-25dbli-Tr

 

 Συχνότητα ρολογιού έως 400MHz
 8 εσωτερικές τράπεζες για παράλληλη λειτουργία
 Αρχιτεκτονική 4-bit prefetch
 Προγραμματιζόμενη καθυστέρηση CAS: 3, 4, 5, 6 και 7
 Προγραμματιζόμενος λανθάνοντας πρόσθετος: 0, 1, 2, 3, 4,5και 6
 Write Latency = Read Latency-1
 Προγραμματιζόμενη ακολουθία ριπής: Διαδοχική ήΠαρεμβάλλει
 Προγραμματιζόμενο μήκος ριπής: 4 και 8
 Εντολή αυτόματης και ελεγχόμενης προφόρτισης
 Λειτουργία απενεργοποίησης
 Αυτόματη ανανέωση και αυτοανανέωση
 Διάστημα ανανέωσης: 7,8 s (8192 κύκλοι/64 ms)
 ODT (Τερματισμός On-Die)
 Επιλογή προγράμματος οδήγησης χαμηλής ισχύος δεδομένων-εξόδου
 Αμφίδρομη διαφορική στροβοσκόπηση δεδομένων(Το Singleended data-strobe είναι μια προαιρετική δυνατότητα)
 On-Chip DLL ευθυγραμμίζει τις μεταβάσεις DQ και DQsμεCK μεταβάσεις
 Το DQS# μπορεί να απενεργοποιηθεί για δεδομένα ενός άκρουστροβοσκοπικό
 Υποστηρίζεται η ανάγνωση δεδομένων Strobe (μόνο x8)
 Είσοδοι διαφορικού ρολογιού CK και CK#
 VDD και VDDQ = 1,8V ± 0,1V
 PASR (Μερική αυτοανανέωση πίνακα)
 

ΕφαρμογέςτουIs43dr16640b-25dbli-Tr

 Διασύνδεση SSTL_18
 Υποστηρίζεται το κλείδωμα tRAS
 Θερμοκρασία λειτουργίας:Εμπορική (TA = 0°C έως 70°C, TC = 0°C έως85°C)Βιομηχανική (TA = -40°C έως 85°C, TC = -40°Cέως 95°C)Αυτοκίνητο, A1 (TA = -40°C έως 85°C, TC = -40°C έως 95 °C)Αυτοκίνητο, A2 (TA = -40°C έως 105°C, TC = -40°C έως105°C)
 

Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις τουIs43dr16640b-25dbli-Tr

 

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατάσταση RoHS Συμβατό με ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) 3 (168 ώρες)
Κατάσταση REACH REACH Δεν επηρεάζεται
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0032
 

IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA 0

 

 

 

 

 

 

 



 

 

 

 

 

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.