• Ipd60r1k0ceauma1 Ασύρματη μονάδα Rf Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3
Ipd60r1k0ceauma1 Ασύρματη μονάδα Rf Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3

Ipd60r1k0ceauma1 Ασύρματη μονάδα Rf Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: αρχικός
Μάρκα: original
Πιστοποίηση: original
Αριθμό μοντέλου: IPD60R1K0CEAUMA1

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες: Κιβώτιο χαρτοκιβωτίων
Χρόνος παράδοσης: 1-3working ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T, L/C
Δυνατότητα προσφοράς: 100.000
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 Β Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: -
Διασκεδασμός δύναμης (Max): 94W (TC) Λειτουργούσα θερμοκρασία: -55°C ~ 175°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος: Η επιφάνεια τοποθετεί Συσκευασία συσκευών προμηθευτών: PG-to252-3-313
Συσκευασία/περίπτωση: -252-3, DPak (2 μόλυβδοι + ετικέττα), Sc-63 Αριθμός προϊόντων βάσεων: IPD60N10

Περιγραφή προϊόντων

IPD60N10S4L-12 WIRELESS RF MODULE MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

 

N-Channel 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Επιφανειακή βάση PG-TO252-3-313

 

Προδιαγραφές τουIPD60R1K0CEAUMA1

 

ΤΥΠΟΣ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατηγορία Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών
Τρανζίστορ
FET, MOSFET
Μονά FET, MOSFET
Mfr Infineon Technologies
Σειρά Αυτοκίνητο, AEC-Q101, HEXFET®
Πακέτο Ταινία και καρούλι (TR)
Κοπή ταινίας (CT)
Digi-Reel®
Κατάσταση προϊόντος Ενεργός
Τύπος FET N-Channel
Τεχνολογία MOSFET (οξείδιο μετάλλου)
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) 100 V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2,1V @ 46µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.) ±16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds 3170 pF @ 25 V
Λειτουργία FET -
Διαρροή ισχύος (Μέγ.) 94W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης Αναρτημένο στην επιφάνεια
Πακέτο συσκευής προμηθευτή PG-TO252-3-313
Πακέτο / Θήκη TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος IPD60N10

 

Χαρακτηριστικά τουIPD60R1K0CEAUMA1

 

• Κανάλι N - Λειτουργία βελτίωσης
• Πιστοποίηση AEC
• MSL1 έως 260°C μέγιστη αναρροή
• Θερμοκρασία λειτουργίας 175°C
• Πράσινο προϊόν (συμβατό με RoHS)
• 100% δοκιμασμένο σε χιονοστιβάδα
 

ΕφαρμογέςτουIPD60R1K0CEAUMA1

 

Για περισσότερες πληροφορίες σχετικά με την τεχνολογία, παράδοσηόροι και προϋποθέσεις και τιμές, παρακαλούμε επικοινωνήστετο πλησιέστερο Γραφείο Infineon Technologies (www.
infineon.com).
 

Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις τουIPD60R1K0CEAUMA1

 

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατάσταση RoHS Συμβατό με ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) 1 (Απεριόριστο)
Κατάσταση REACH REACH Δεν επηρεάζεται
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Ipd60r1k0ceauma1 Ασύρματη μονάδα Rf Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3 0

 

 

 

 



 

 

 

 

 

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd Ipd60r1k0ceauma1 Ασύρματη μονάδα Rf Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3 θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.